近年芯片NM制程达到7NM、5NM,甚至5NM以下也因为GAAFET似乎未来也将成为可能。但是随着芯片制程的提高越来越难，全球半导体领域开始关注新的半导体芯片材料，以求在半导体材料方面实现从硅基到非硅基的转变，从而大大提升芯片生产效能和芯片的性能。
今天，我们来看看有着“半导体贵族”之称的砷化镓GaAs。
对砷化镓GaAs我们不过多的描述，度娘能找到。我们把砷化镓GaAs和硅Si来做个简单的对比。我们可以看出砷化镓GaAs和硅Si在晶格常数是一致的。砷化镓GaAs的禁带宽度比硅Si大。也就是说砷化镓GaAs做成器件比硅Si器件在耐压和最高工作温度上更加优秀。较纯净的砷化镓GaAs在室温下的电子迁移率是硅的6倍。也就是说砷化镓GaAs的电子在电场下工作的效率比硅Si要优秀得多。而且砷化镓GaAs的光电性能比硅Si要好，频率更高，功率更小，高频工作杂讯小。
早在20世纪80年代初，一些专家就认为砷化镓GaAs芯片的性能将远远超过硅Si芯片的性能，砷化镓GaAs未来将在制造半导体中最终取代硅Si。但是砷化镓GaAs的生产成本高昂，却是砷化镓GaAs发展的最大的阻碍。
但是去年，美国麻省理工学院(MIT)的研究人员发明了一种用于大规模生产昂贵电路的新型「复制/贴上」(copy/paste)方法。据说这项技术可用于砷化镓(GaAs)的生产，降低砷化镓GaAs的生产成本。
随着5G时代的到来，砷化镓GaAs的发展可能迎来一次较大的突破。在手机通讯行业，砷化镓GaAs被用于无线信号功率放大器件PA。2G手机包含1个PA，3G手机包含5个PA，随着手机与数据上网卡等通信产品朝着多模(2G/3G/4G/5G)、多频的方向发展，射频前端所需的各种功放会越来越多。5G通讯的到来将助飞砷化镓GaAs的发展。
而随着砷化镓GaAs的不断发展，它将被用于更多的产品领域。假如砷化镓GaAs能做CPU和内存条的话，CPU的频率可能轻松达到8GHZ,内存条的频率可能8000MZH。想想就觉得厉害了！但是请教一下砷化镓GaAs能做CPU和内存条吗？我翻了很多资料都没找到这方面的。
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