專家:中國第三代半導體將迎產業發展爆發期

在新基建和國內國外雙循環戰略的推動下,中國第三代半導體將深度參與全球半導體產業鏈,激發創新活力,迎來產業發展爆發期。這是記者從“2020中歐科技創新合作發展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導體產業高峰論壇”上了解到的,論壇圍繞第三代半導體行業的國際合作、市場熱點和技術前沿話題,邀請中外半導體領域專家學者進行經驗分享,探討中歐半導體合作發展新路徑。

據悉,“2020中歐第三代半導體產業高峰論壇”由中國科學技術協會與深圳市人民政府共同主辦,中國科協企業創新服務中心、深圳市科學技術協會等單位承辦,深圳市科技開發交流中心、深圳中歐創新中心等單位執行。

深圳市科學技術協會副主席張治平在致辭中表示,深圳市政府高度重視半導體產業的發展,推動成立了深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院等科研機構,聚集了青銅劍科技、基本半導體等一批第三代半導體領域的創新型企業,新一代電子信息技術產業已經成為深圳創新發展的中堅力量。深圳市科協將以科創中國試點城市建設為契機,充分發揮科協系統的優勢,構建“基礎研究+技術攻關+成果產業化+科技金融+人才支撐”全過程的創新產業鏈,推動第三代半導體產業深入發展,打造科技經濟融合的樣板間。

深圳第三代半導體研究院副院長徐群在致辭中提到,第三代半導體是半導體產業的重要組成部分,其發展壯大對國民經濟、國防安全、國際競爭、社會民生等領域均具有重要戰略意義,也是當今世界國際社會科技競爭的焦點之一,期待以此次論壇為契機,拓展中歐合作渠道,搭建好第三代半導體科技創新發展的平臺,為推動產業創新創業發展提供有力的技術和人才支持。

基本半導體總經理和巍巍博士表示公司非常重視研發和技術人才的培養,目前已經打造了一支由十餘位博士組成的國際化研發團隊,同時希望聯合上下游企業,從全產業鏈的角度深入瞭解碳化硅功率器件失效的產生以及相應的機理,以提高國產器件的可靠性。

南方科技大學深港微電子學院院長於洪宇教授提到,氮化鎵特別適合高頻、高壓和高功率的應用,今年氮化鎵出貨量以快充為爆發點,未來在服務器、電動汽車市場將出現更多的應用,機構預測在2025年左右功率器件市場可能會達到兩三百億人民幣的市場規模。

劍橋大學電力電子應用實驗室主任龍騰教授在題為《充分發揮寬禁帶器件在電力轉換應用中的潛力》的演講中,詳細介紹了碳化硅器件在車載充電機和電動汽車牽引逆變器中的應用,以及電動汽車無線電能傳輸和數據中心的超高功率密度48V直流系統等設備。

此外,意大利那不勒斯費德里克二世大學電子學教授阿德里安·艾爾斯(Andrea Irace)介紹了非安全工作區內碳化硅功率MOSFET的建模和特性表徵,法國阿爾法RLH光電與微波集群技術專家帕崔斯·佳曼德(Patrice Gamand)、歐洲最大的微電子集群硅薩克森尼集群總經理弗蘭克·博森伯格(Frank Bösenberg)、博世傳感器業務部中國區市場總監扶彬圍繞集群產業支持和半導體創新、歐洲和全球半導體產業價值鏈與合作機遇等方面的話題作了精彩分享。

在圓桌論壇環節,清華大學電機系黨委副書記鄭澤東、青銅劍科技集團董事長汪之涵博士、古瑞瓦特副總裁吳良材、一汽股權投資部門負責人梁一功、正軒投資創始合夥人王海全從基礎研究、產業鏈合作、行業應用和投資市場等方面探討國家新基建與雙循環戰略下,第三代半導體產業面臨的挑戰和機遇。

中歐第三代半導體產業高峰論壇已經連續四年成功舉辦,成為中歐第三代半導體學術交流、產業合作的創新發展平臺。在新基建和國內國外雙循環戰略的推動下,中國第三代半導體將深度參與全球半導體產業鏈,激發創新活力,迎來產業發展爆發期。

編輯 秦天

(作者:讀特記者 鄒媛 文/圖)


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