1月2日，正在建設中的國家存儲器基地雛形初現。位於武漢光谷的該基地繼成功研發中國首顆32層三維閃存芯片後，另一項技術取得新突破，為三維閃存帶來前所未有的I/O高性能、更高的存儲密度，以及更短的產品上市週期。國家存儲器基地以芯片製造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體，全部建成後將填補我國主流存儲器領域空白，為實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。（湖北日報全媒記者 梅濤 攝）
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1月2日，正在建設中的國家存儲器基地雛形初現。位於武漢光谷的該基地繼成功研發中國首顆32層三維閃存芯片後，另一項技術取得新突破，為三維閃存帶來前所未有的I/O高性能、更高的存儲密度，以及更短的產品上市週期。國家存儲器基地以芯片製造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體，全部建成後將填補我國主流存儲器領域空白，為實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。（湖北日報全媒記者 梅濤 攝）
