日前，中微半導體發佈 2019 年財報，營收為 19.47 億元，較上年成長 18.77%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為 1.89 億元，較上年成長 107.51%。其中生產 MOCVD 的南昌子公司營收 為 8.27 億元，淨利潤 1829 萬。
一、主力產品
中微半導體設備（上海）股份有限公司（中微半導體）成立於 2004 年，是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加工設備公司，是我國集成電路設備行業的領先企業。公司聚焦用於集成電路製造、先進封裝、LED 生產、MEMS製造以及其他微觀工藝用刻蝕設備和 MOCVD 設備的研發、生產和銷售。
2019 年公司專用設備共生產 233 腔，2018 年是 231 腔，2017 年是 156 腔；2019 年公司專用設備銷售 221 腔，2018 年是 177 腔，2017 年是 90 腔。
刻蝕設備
財報顯示，公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米的集成電路加工製造生產線及先進封裝生產線。
在邏輯工藝方面，公司刻蝕設備已運用在國際知名客戶 65 納米到 7 納米生產線上；已經開發出 5 納米設備用於若干關鍵步驟的加工；同時公司目前正在配合客戶需求，開發新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5 納米以下刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。
在 3D NAND 芯片製造環節，公司的電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於 64 層的量產，同時公司根據存儲器件客戶的需求正在開發新一代能夠涵蓋 128 層關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝；公司也根據邏輯器件客戶的需求，正在開發更先進刻蝕應用的設備。
中微公司首先開發電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設備，2007 年推出雙反應臺 Primo D-RIE，應用於 65-16 納米集成電路製造；2011 年推出雙反應臺 Primo AD-RIE，應用於 45-7 納米邏輯集成電路製造；2013 年推出單反應臺 Primo SSC AD-RIE，應用於 16 納米以下 2D 閃存芯片製造；2016 年推出 Primo SSC HD-RIE，應用於 64 層及以上的 3D 閃存芯片製造；2017 年推出 Primo AD-RIE-e，應用於 7 納米以下邏輯集成電路製造。目前已經推出三代 CCP 刻蝕設備涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納米、22 納米、14 納米、7 納米到 5 納米關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。。
2010 年成功開發電感性等離子體深硅刻蝕設備 Primo TSV，採用雙腔設計，支持 12 英寸和 8 英寸無縫切換，同時兼容硅和氧化硅刻蝕，兼容硅和玻璃襯底，主要應用於包括先進封裝、CMOS 圖像傳感器、MEMS、功率器件和等離子切割等；2016 年成功開發單反應臺 Primo nanova 刻蝕設備，並同時開發雙反應臺電感性等離子體刻蝕設備，主要涵蓋 14 納米及以下的邏輯電路、19 納米以下存儲器件和 3D 閃存芯片製造。Primo nanova 不僅能夠用於多種導體刻蝕工藝，比如淺溝槽隔離刻蝕（STI）、多晶硅柵極刻蝕；還可用於介質刻蝕，如間隙壁刻蝕（Spacer Etch）、掩模刻蝕（Mask Etch）、回刻蝕（Etch Back）等，並且既可以用於刻蝕垂直深孔，也可以用於刻蝕淺錐形輪廓。Primo nanova 以獨特的四方形主機、可配置六個刻蝕反應腔和兩個除膠反應腔，獨特的技術創新使其具有業界領先的生產效率和卓越的晶圓內加工性能。
中微刻蝕設備的客戶主要有臺積電、中芯國際、聯華電子、華力微電子、海力士、長江存儲、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導體等。
總結一下：CCP 刻蝕機，進入 5 納米生產線，進入 64 層 3D 存儲器生產線；深硅刻蝕機，已經進入歐洲 MEMS 生產線，在國內成為主流；ICP 刻蝕機，有單臺反應系統，已經進入國內產生線，雙臺也在驗證。
薄膜沉積設備
MOCVD 設備是一種高端薄膜沉積設備，主要用於藍綠光 LED 和功率器件等生產加工。公司的 MOCVD 設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基 LED 設備製造商。
2010 年中微公司開始開發用於 LED 器件加工中最關鍵的設備 MOCVD 設備。2013 年推出的第一代設備 Prismo D-Blue 可以實現單腔 14 片 4 英寸外延片加工能力；2017 年推出第二代設備 Prismo A7 可以實現單腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。
公司用於製造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD 設備已在客戶端驗證成功，可以實現單腔 18 片 2 英寸外延片加工能力；用於藍綠光 LED 和 Mini LED 生產的大尺寸 MOCVD 設備的研發工作正在有序進行中，可以實現單腔 41 片 4 英寸或單腔 18 片 6 英寸外延片加工能力；用於 Micro LED、功率器件等需要的 MOCVD 設備正在開發中。
中微薄膜沉積設備客戶主要包括三安光電、璨揚光電、華燦光電、乾照光電、深圳兆馳、佛山國星、福建兆元。
二、未來十年
展望未來十年，中微公司董事長、總經理尹志堯表示，中微公司在今後十年將採取三個維度的發展策略：
第一個維度是從目前的等離子體刻蝕設備，擴展到化學薄膜設備，和刻蝕及薄膜有關的檢測等關鍵設備。事實上公司已經開始佈局，如持有瀋陽拓荊（薄膜）11.2%的股權；2019 年 8 月擬向睿勵科學投資 1375 萬元，持股約 10.41%。
第二個維度是擴展在泛半導體設備領域的產品，從已經開發的用於製造 MEMS 和 CIS 影像感測器的刻蝕設備、製造藍光 LED 的 MOCVD 設備，擴展到更多的微觀器件加工設備，及製造深紫外 LED、Mini-LED、Micro-LED 等微觀器件的設備產品。如投資芯元基半導體。
第三個維度是探索核心技術在環境保護、工業互聯網、電子生物等領域，以及在國計民生上的新的應用。
今後，中微計劃不斷開發新的產品，不斷提高市場佔有率；同時，公司將在適當時機，通過投資、併購等外延式生長途徑，擴大產品和市場覆蓋，力爭在未來十年內，發展成為在規模上和市場佔有率上成為國際一流的半導體設備公司。
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