FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

深圳市永阜康科技有限公司現在針對單節大容量鋰電池應用,現力推3.5A開關降壓型4.2V大電流充電管理IC-FP8208.

一般描述:
FP8208A 是一款開關模式降壓型鋰電池充電管理芯片,輸入電壓應用適合5V 交流適配器,可
對單節鋰離子電池進行定電流或是恆壓充電,其最大充電電流為3.5A,最大充電電流可由外部電阻
進行設定,在充電方面細分成3 種模式,包含了涓流模式、定電流模式與定電壓模式。FP8208A 集
成了多項保護機制,包含了內置輸入欠壓保護、輸入過壓保護、芯片過溫保護、電池短路保護、電池
溫度監控。


特色說明
➢ 輸入工作電壓範圍4.8V~5.5V
➢ 高精準截止電壓:4.2V±1%
➢ 可調式充電電流最高可達3.5A
➢ 精準充電電流:±8%
➢ 固定工作頻率720kHz
➢ 充電指示燈顯示
➢ 自動再充電功能
➢ 多種保護功能:輸入欠壓保護、輸入過壓保護、芯片過溫保護、電池短路保護、電池溫度監控
➢ 封裝SOP-8L 帶散熱片


➢ 可應用在手持式裝置、鋰電池充電應用、播放器、平板電腦、數碼相機


IC內部方塊圖

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

封裝腳位:

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

充電狀態指示燈:

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

應用電路圖:

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

應用元件介紹
➢ C1、C2:輸入與輸出穩壓電容,請選用X5R 材質的,防止輸入插拔突波過高。
➢ C4:接在VS 腳對地,用來穩定充電電流。
➢ R1、R2:可用來調整IC 充電指示燈電流大小。
➢ R3:EN 腳接到VIN,拉高電位用。
➢ L1:電感有儲能與濾波功用。選用電感需注意電感是否適合高頻操作,及電感額定飽和電流值。
➢ LED1:IC 充電指示燈,充電時燈亮,充飽電時後燈滅。
➢ LED2:IC 充電指示燈,充電時燈滅,充飽電時後燈亮。
➢ R0、C0: 可吸收在切換時產生的突波電壓,可改善EMI,建議值 R0=1.5Ω、C0=2.2nF,這兩
元件盡可能靠近LX,以達最佳效果。
➢ RS1、RS2:可調整充電最大電流,最大可達3.5A。

應用功能說明
a. 充電模式介紹
FP8208A 充電時分成了涓流模式、定電流模式與定電壓模式,另外當VCC 腳電壓低於4.6V 時,
IC 會自動降低充電電流,避免輸入端(adaptor)功率輸出不夠而導致停止充電,充電過程如下圖


所示:

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

b. 最大充電電流設定
最大充電電流可利用VS pin 與VBAT pin 中間的RS 電阻做設定,電流最大3.5A,設定公式如下:

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

c. 充電指示燈
IC 進入正常充電時CHRGB 燈號會恆亮,充電截止時CHRGB 燈號會熄滅,當電池充飽後又放電至Recharge 電壓4V (約95%的截止電壓),而此時輸入電源還在的話,CHRGB 燈號會再度亮起來,IC 會開始充電直到充電截止,STDBY 燈則相反。
d. 熱調節保護
當IC 內部晶片溫度達到125°C 時,IC 熱保護啟動後會降低充電電流至設定值的1/3,要恢復正常設定值的充電電流必須回溫至100°C 以下,當晶片溫度繼續昇高達到150°C 時,IC 進入Shutdown模式關閉指示燈,一樣需回溫至100°C 才會重新開始充電。

e. 電池溫度監控
將TEMP腳接到電池的NTC(負溫度係數熱敏電阻)傳感器的輸出端,若TEMP 腳的電壓小於VDD的45%或者大於VDD 的80%,代表著電池溫度過低或過高,充電將會停止,直接將TEMP腳接地將會把電池溫度監控功能取消。

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

f. 輸入過壓保護
FP8208A 設有內建過壓保護功能,當輸入adaptor 電壓超過6V 時,IC 將會關機以防止受到損傷,當過壓保護發生時需等輸入電壓掉到過壓保護點的遲滯電壓以下(約0.2V)才會恢復正常充電。
g. 佈局說明

FP8208 3.5A降壓型4.2V大電流充電管理IC,針對大容量鋰電池應用

注意事項:
➢ 大電流路徑需鋪銅,避免走細線,大電流路徑為VIN進來到VCC PIN,再從LX PIN到電感經過RS電阻到電池端。


➢ LX PIN到電感之間會產生切換訊號,這些元件之間的距離要盡量靠近並且以鋪銅方式連接,減少寄生電感產生震盪,可改善EMI。

➢ C0、R0為吸收SW切換突波的元件,盡可能接近LX PIN與GND。
➢ 輸入電容C1、C2盡量靠近IC的地,減少電流迴路路徑,降低在切換使產生的接地反彈雜訊。
➢ C4電容盡量靠近VS PIN。
➢ 取樣電阻RS1/RS2盡量靠近VS PIN與VBAT PIN。
➢ IC的散熱片EP連接到GND,所以盡可能加大GND面積,加強散熱效果。

h. EMI 測試
測試條件:LX 對地加RC,R0=1.5Ω,C0=2.2nF,輸入5V,輸出單節鋰電,充電電流3.5A。

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