作為半導體產業鏈的重要一環，國產存儲器迎來新突破。
國產存儲器重大突破
4月13日，長江存儲宣佈128層QLC 3DNAND閃存（型號：X2-6070）研發成功，為國內首款，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
此次同時發佈的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
對此，有業內人士表示，128層3D NAND是業界主流技術，也是各國際大廠爭奪的焦點。此次長江存儲發佈128層產品意味著其向閃存芯片第一梯隊邁進。
公開資料顯示，長江存儲成立於 2016 年 7 月，是一家專注於 3D NAND 閃存設計製造一體化的IDM 集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案，產品廣泛應用於移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。目前已發展為國產存儲龍頭。
2019 年初實現32 層3D NAND 的量產。其首創了 Xtacking 技術，使用該技術順利研發出64層3D NAND。僅3年的時間，長江存儲就實現32層到64層再到128層的跨越，追上國外存儲廠商的先進水平，令人矚目。
據介紹，QLC是繼TLL後3D NAND新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合於讀取密集型應用。
容量到底有多大？有分析表示，如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當於提供3665億個房間，每個房間住4人，共可容納約14660億人居住。
此外，性能表現方面來看，也是十分亮眼。據悉，這兩款產品的工程樣品已經面世，並分別在國內、國際兩家控制器大廠聯芸和群聯中進行了產品驗證，其中QLC產品在SSD系統盤上進行測試驗證，做到了開機速度12秒-15秒。
產能方面，據透露，長江存儲128層閃存產品預計將於2020或2021年實現量產，並規劃2021年單月產能爬升至10萬片。從產能規模來看，根據集邦諮詢數據，2020年NAND全行業月產能在160萬片左右，因此可以大致估算長江存儲的產能佔比將超6%，越過Intel成為第五大廠商。2023年長江存儲目標擴產至30萬片/月產能，屆時有望成為全球第三大NAND廠商。
市場前景方面，據介紹，長江存儲128層系列產品將會為合作伙伴帶來更大的價值，具有廣闊的市場應用前景。其中，128層QLC版本將率先應用於消費級固態硬盤，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數據存儲需求。
產業鏈小夥伴有望受益
隨著長江存儲市場份額的增加以及QLC廣闊的應用前景，無疑，長江存儲的設備供應商無疑率先受益。
廣發證券指出，隨著128層產品的量產，有望迎頭趕上行業主流製程。建議關注國內從事半導體設備和材料的優質廠商。半導體設備方面，建議關注北方華創、中微公司、萬業企業、芯源微。半導體材料方面，建議關注江豐電子、安集科技。
川財證券表示，長江存儲128層3DNAND研發成功，以及此前64層3DNAND產品的量產，極大地縮小了與三星、美光、SK海力士等廠商的差距，存儲的國產替代發展階段進入新維度。
相關標的方面，可關注兆易創新（NORFlash）、北京君正(MCU)、瀾起科技（內存接口芯片）、韋爾股份(CIS)、長電科技（封測）、華天科技（封測）、晶方科技（封測）。
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