近期關於臺積電5nm的消息越來越多，據悉，4月份他們就將開始大規模量產5nm芯片，目前，全部產能已經被蘋果和華為預定。
到現在為止，臺積電還沒有公佈5nm工藝的具體指標，不過，在一篇相關的論文中我們發現了一張臺積電5nm晶圓管結構側視圖，它可以比臺積電自己宣稱的5nm工藝性能更強。
根據側視圖得出分析，臺積電5nm的柵極間距為48nm，金屬間距為30nm，鰭片間距25-26nm，單元高度為180nm，所以，計算得出臺積電5nm晶體管密度為每平方毫米1.713億個，而7nm晶體管密度為9120萬個，相比之下，5nm在這一數字上增加了88%，而臺積電此前表示增加了84%。
此前，16nm和10nm的晶體管密度分別為2888萬個和5251萬個，5nm晶體管密度已經達到了這兩種工藝的6倍和3.3倍。
據悉，今年5nm工藝大規模量產將會給臺積電帶來非常可觀的收入，在年初的財報分析師會議上，臺積電CEO、董事長魏哲家表示，5nm的產能將在今年下半年有快速而且平穩的增長，預計它將會貢獻臺積電10%的營收。
雖然，現在還是有不少人在質疑臺積電的工藝問題，但是，以推進速度來看，目前，臺積電確實走在了全球晶圓廠的最前端。
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