據Business Korea報道，韓國科學技術研究院(KIST)在3月8日宣佈，一個科研小組已經成功開發出一種新的化合物，可以替代用於生產藍光LED的氮化鎵材料。該項研究成果目前已經被髮表在最新一期的《科學報告》上。
報道網頁截圖
此前日本開發出一種製造高質量氮化鎵的方法，用於生產藍光LED，這種藍光LED被用作智能手機、顯示器、電子產品和高頻設備的核心設備。
公開資料顯示，氮化鎵是第三代半導體材料的代表之一，具備易散熱，體積小，損耗小，功率大等諸多優點，被業內寄予厚望。可被應用於光電、功率和射頻等多個領域，同時能滿足高功率密度、低能耗、高頻率等要求。
而此次韓科院研究小組是使用一種由銅和碘合成的碘化銅化合物(CuI)來生產藍光LED。一名研究人員介紹道：“我們發現，碘化銅半導體可以發出藍光，其亮度是氮化鎵半導體的10倍以上，此外在光電效率和長期設備穩定性方面的表現也很出色。”
研究人員開發的碘化銅半導體可以在缺陷少的低成本硅基板上生長，因此具有使用目前可商購的大尺寸硅基板（300毫米）的優勢。此外，碘化銅薄膜的生長溫度類似於硅基工藝中使用的溫度（低於300攝氏度），可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此，這項研究成果可以應用於低成本和簡單的硅半導體工藝。
這一研究成果的意義在於，通過在硅襯底上生長高質量的銅鹵素單晶碘化銅，實現高效的藍光發射，在世界範圍內首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術。
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