中國芯片再傳捷報!國產光刻機拐彎超車,攻克9nm技術難關

隨著時代的不斷變化發展,眾多以科技為背景的產業由此崛起,在改變了人們傳統生活方式的同時,也對國家和社會的發展起到了積極的促進作用。當然,得益於我國在科技研發領域的鉅額投入,如今中國科技也已經躋身到了世界一線前沿,其中表現最為明顯的無非就是在智能手機領域。

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縱觀目前全球智能手機市場,國產手機陣營基本實現了全球覆蓋,可即便如此,智能手機的核心組成部件-芯片卻是我國最大的短板。由於芯片技術的短缺,使得我國科技企業長期以來需要依靠海外進口,這樣一來不但沒有議價權,同時還會面臨著卡脖子的境遇,而中興和華為事件的發生不就正好說明了問題所在。

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實際上,從現階段來看,包括華為在內的中國科技企業都已經突破了芯片設計的技術瓶頸,但是芯片製造環節依舊是最大的短板,其中,製造芯片的光刻機也成為了重中之重。不過有礙於光刻機巨頭-荷蘭ASML的政策限制,使得國內高科技技術企業無法購買ASML的高端光刻機,因此對於我國而言,掌握光刻機技術也變得迫在眉睫。

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目前光刻機領域的平均水平在14nm工藝範疇,最先進的則是7nm工藝掌握在荷蘭ASML手中,其他國家所涉及的光刻機技術還有9nm工藝,主要掌握在日本和德國手裡。所以,在我國龐大的電子產業群之下,沒有先進光刻機的支持,必然會約束到我國電子產業的轉型與升級。


所以在意識到光刻機的重要性之後,我國也開始大加大了對光刻機研發的投入。

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目前,包括中芯國際和華虹集團都已經實現量產28nm和90nm工藝的水平,與9nm和7nm依舊有著很大的差距。不過在近日,中國芯片再傳捷報,國產光刻機拐彎超車,攻克9nm技術難關!根據相關媒體的報道,由我國武漢光電國家研究中心的甘棕松團隊,成功研發出9nm工藝光刻機。

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此次研發成功的9nm光刻機技術與西方不同是,國產光刻機利用了二束激光在自研的光刻機上突破了光束衍射極限的限制,刻出了最小9nm線寬的線段,這是我們獨有的技術,我們也將擁有自主產權。不過,現階段9nm光刻機技術還僅限於試驗階段,但是作為國人的我們有理由相信,在不久的將來,國產光刻機必然會走出實驗室,實現芯片量產。

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同時,國產光刻機在技術上的突破在我國芯片發展史上也有著重要意義,畢竟這也代表著我國科技企業在未來可以減少對海外芯片的依賴,從而提高我國在電子產業中地位。讓中國芯片走向更大的世界舞臺。對此,大家怎麼看?


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