華為用於基礎設施設備，特別是4G和5G基站的相關芯片訂單量明顯增加，包括PA（功率放大器，用於射頻前端）、網絡處理器等。其中，基站用PA備受關注，原因在於，其技術含量較高，主要以進口為主，國產替代呼聲高。另外，從技術角度看，基站用PA，正處於技術和製造工藝迭代時期，新工藝GaN正在逐步佔領市場，受到的關注度也越來越高。5G對於設備性能和功率效率提出了更高的要求，特別是在基站端，基站數量和單個基站成本雙雙上漲，這將會帶來市場空間的巨大增長。基站用PA的數量和質量都在提升，市場需求旺盛，特別是GaN（氮化鎵）工藝，已經勢不可擋。
統計顯示，我國5G宏基站使用的PA數量在2019年達到1843.2萬個，今年有望達到7372.8萬個。預計今年，基於GaN工藝的基站PA佔比將由去年的50%達到58%。在這樣的背景下，華為加大基站PA的自研力度和採購數量，無疑會為GaN的發展再添一把火。華為的基站PA佈局較早，高低端都有規劃，具有一定的技術儲備。
點評：對於華為巨大的基站和手機PA用量來說，其自研的PA還是遠遠不夠用，依然以外購為主，而在當下貿易限制的大背景下，華為正在加大來自日本和中國本土的PA供應量，國內GaN領域公司望受益。
海特高新（002023）旗下海威華芯的GaN工藝已成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術。
耐威科技（300456）GaN外延材料已有少量銷售且仍在繼續拓展市場，GaN器件已處於送樣、驗證階段。
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