近期，美光、三星、SK海力士、英特爾等多數存儲廠商開始看好明年市場復甦前景，紛紛加大新技術工藝的推進力度，希望在新一輪市場競爭中佔據有利地位。專家指出，隨著雲計算、人工智能對數據運算能力提出越來越嚴苛的要求，DRAM與NAND的存儲能力正在成為瓶頸，開發新一代存儲芯片將成為全球各大存儲廠商角力焦點。
物聯網海量數據拉動存儲器需求
隨著雲計算、大數據等技術發展，IDC作為處理、存儲、備份數據的重要物理載體快速發展，而云計算集中化和價格下降也倒逼IDC朝著大規模/超大規模發展。服務器單機內存裝載量提升進一步推動DRAM的需求——據DRAMeXchange統計，服務器平均內存裝載量已達到145GB，預計到2021年標準型服務器的DRAM平均容量將達到366GB，CAGR將達26%。
大數據時代，NANDFlash需求也將大幅增長。目前全球每天都會增加1600萬個傳感器，產生大量的數據，同時5G、實時響應、實時分析等技術進一步提升數據產生速度，巨量數據將產生巨大的數據存儲需求。根據IDC預測，到2025年，全球數據圈將擴展至163ZB(1ZB等於1萬億GB)，相當於2016年的十倍。2017-2025年，所有介質類型的存儲器出貨容量將超過19ZB，其中約58%來自於HDD，30%來自於閃存，主要是NANDFlash，存在巨大成長空間。
中國是世界上最大的半導體消費市場，存儲器需求巨大。目前國內正在經歷第三次消費升級，物聯網、智能終端、汽車電子等相關產業快速增長。中國在軟件、內容、移動互聯網等軟實力方面已經具備了國際領先水平，全新的計算和系統架構，如大數據、雲計算、物聯網、人工智能等在國內的發展已經走在世界前列，幾乎隨處都會產生的大量數據進一步拉動存儲器需求。
全球存儲器市場與發展
在全球存儲器市場上，2018年全球存儲器的市場份額是1650億美元，這個市場可細分成三部分，DRAM，NAND，NOR佔據了所有存儲芯片市場規模的98%以上,目前NOR flash每年市場規模在30億美元左右；NAND flash大概在600多億美元；還有一部分是DRAM的產品，DRAM是世界上第一個單一半導體產品市場規模突破1000億美元的存儲器產品。
存儲器是半導體領域最大的一個分支，佔到所有半導體市場的1/3。但存儲芯片市場卻是高度壟斷的。
NAND flash目前全球91%的市場份額中由五家企業組成，佔比第一名是三星（韓國），第二名是東芝（日本），第三名是閃迪（美國），第四名是美光（美國），第五名是海力士（韓國）。DRAM的市場更集中，兩家韓國公司，一家美國公司。NOR flash不是一個太集中的市場，第一名是美國的，第二名是臺灣的，第三名是美光，第四名是華邦，第五名是國內的兆易創新，這是去年的數字，相信今年兆易創新還在不斷地提升市場份額。
總結來說，存儲器市場是美國、韓國、日本公司掌控的市場。
我國存儲“芯”力量崛起
兆易創新：兆易創新作為我國唯一一家在主流存儲器設計行業擁有話語權的企業，其依靠低容量產品切入NORFlash，目前產品主要應用於PC主板、機頂盒、路由器等領域，已是這些領域全球龍頭，串行NORFlash出貨量國內第一，2017年利用COST-DOWN系列搶佔市場，市佔率進一步提升。
合肥長鑫：由兆易創新、中芯國際前CEO王寧國與合肥產投簽訂協議成立，項目預算金額為180億元人民幣。目前廠房已於2017年6月封頂完工，2017Q3開始移入測試用機臺，計劃將於2018年年底前推出8GBDDR4工程樣品，2019Q3正式推出8GBLPDDR4，達到2萬片的月產能;2020年開始規劃二廠建設;2021年完成17納米技術研發。
長江存儲：是由紫光集團與武漢新芯合作成立的國家存儲芯片基地項目，專注於12寸3DNANDFlash的研發與製造，2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土，官方預期分三階段，共建立三座3DNANDFlash廠房，首期投入超過240億美元。第一階段廠房已於去年9月完成興建，預定2018年第三季開始移入機臺，並於第四季進行試產，初期投片不超過1萬片，用於生產32層3D-NANDFlash產品。
隨著這幾股“芯”力量的崛起，我國存儲器業春天有望加速到來。因此，中國半導體業的發展必定會跨入全球存儲器的行列之中。至於未來能有多大作為，要看自身的努力程度和機遇，但是必須要在研發方面有所突破，或者在存儲器生產線的運營中能夠掌握它的獨特規律。
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