02.14 《2.5D/3D硅通孔（TSV）和晶圓級堆疊技術及市場-2019版》

2.5D/3D TSV & Wafer-Level Stacking Technology & Market Updates 2019

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2.5D異構和3D晶圓級堆疊正在重塑封裝產業。

堆疊：一種摩爾定律以外的高度集成替代方案

摩爾定律的放緩，為滿足行業大趨勢嚴格指標要求的新發明開闢了道路。在封裝領域，許多半導體廠商傾向於2.5D和3D堆疊技術，而硅通孔（TSV）是最早的堆疊技術之一。經過數年的發展和對MEMS的關注，它最終進入了許多應用領域。如今，2.5D和3D堆疊技術已成為能夠滿足當前人工智能（AI）和數據中心等應用性能需求的唯一解決方案。堆疊技術已被應用於高、中、低端市場的各種硬件，包括3D堆疊存儲、圖形處理單元（GPU）、現場可編程門陣列（FPGA）和CMOS圖像傳感器（CIS）等。

高帶寬存儲（HBM）和CMOS圖像傳感器等硬件佔據了TSV市場的大部分營收。堆疊技術整體市場規模將在2023年超過55億美元，在此期間的複合年增長率（CAGR）可達27%。對於目前來說，消費類市場是最大的細分市場，其市場份額超過了65%。但矛盾的是，這並不意味著消費類市場就是這些技術的主要驅動因素。事實上，高性能計算（HPC）是堆疊技術的真正驅動因素，在2019~2023年期間將呈現最快的增長速度，市場份額預計將從2018年的20%增長到2023年的40%，就封裝營收而言，這相當於2018年營收的6倍以上增長。相應的，消費類市場份額將減少，而汽車、醫療和工業等其他市場將維持目前的市場份額。

從TSV到晶圓級堆疊，封裝技術正在蓬勃發展

由於堆疊技術競爭主要集中在“TSV”和“無TSV（TSV-less）”之間進行，因此Yole在本報告中針對這兩類技術進行了分析。

對於目前的高端市場，市場上最流行的2.5D和3D集成技術為3D堆疊存儲TSV，以及異構堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技術已經廣泛用於高性能計算應用，新的TSV技術將於2019年上市，即來自英特爾（Intel）的Foveros（基於“有源”TSV中介層和3D SoC技術，具有混合鍵合和TSV互連（可能）技術）。Foveros的出現表明，雖然“TSV”受到了來自“無TSV”技術的挑戰，但廠商仍然對它很有信心。

我們不能忽視“無TSV”技術在市場上的興起。這些創新可以劃分為“帶基板型（with substrate）”和“嵌入基板（embedded in substrate）”兩組。嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術已經商業化，是“嵌入基板”組的一種，其Si橋在基板中較深的位置。其他基板技術也正在開發中，但仍未上市，例如集成薄膜高密度有機封裝（I-THOP）和倒裝芯片-嵌入式中介層載具（FC-EIC）等。

“帶基板型”技術也用於TSV替代，例如基板上集成扇出型封裝（InFO），它廣泛用於蘋果公司（Apple）的處理器。此外，再分配層（RDL）中介層技術目前正在開發中，預計將在2020年上市。最後同樣需要注意的是，基板上扇出型芯片（Fan Out Chip on Substrate, FOCoS）於2016年開發並商業化，但似乎訂單並不多。

混合鍵合技術可以橋接“TSV”/“無TSV”這兩個主要技術類別。這項技術的獨特之處在於它可以同時成為TSV技術的挑戰者和支持者。自2016年以來，它一直被用於智能手機的CMOS圖像傳感器，並且在不久的將來，它將作為一種互連解決方案整合存儲和2.5D高端市場。

誰在支持並投資堆疊技術？

各類不同的市場參與方都希望在不斷增長的55億美元堆疊市場中佔有一席之地，目前主要有四種商業模式在堆疊業務領域參與競爭：代工廠、集成器件製造商（IDM）、外包半導體封測廠商（OSAT）和IP廠商。

據麥姆斯諮詢介紹，臺積電（TSMC）、聯華電子（UMC）和格芯（GlobalFoundries）等晶圓代工廠，主導了TSV異構堆疊技術，因為它們有能力自己生產中介層。擁有“Foveros”技術的英特爾，是唯一一個試圖在這個領域參與競爭的IDM。

對於3D堆疊存儲，競爭主要在IDM“三巨頭”三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）之間，這些公司將繼續統治堆疊存儲市場。

同時，3D SoC是一種代工技術，很可能只有一家代工廠會生產它，以確保高良率並控制風險。在這方面，臺積電在上市時間的競爭中領先於格芯。

對於“無TSV”技術，競爭主要存在於代工廠、IDM、OSAT和基板製造商之間。三星、英特爾和臺積電等廠商，都參與了“有”和“沒有”TSV技術的開發。2016年，OSAT巨頭日月光（ASE）向市場引入了FOCoS技術，而安靠（Amkor）等其他廠商也已經開發出了合適的技術，但仍然在等待訂單中。

日本新光（Shinko）、欣興電子（Unimicron）以及最近的富士通互連科技（Fujitsu Interconnect）等基板公司，仍然在研發中。IP廠商Xperi的混合鍵合技術處於“有TSV”和“無TSV”技術之間，預計將對市場產生積極影響。Xperi的另一個優勢是其技術兼容高端和中/低端細分市場。

代工廠、IDM和IP廠商相比OSAT在堆疊技術方面有優勢，因為後者在獲得訂單方面有困難。

本報告涉及的部分公司：

Alchip, Aledia, Alibaba, Amazon, AMD, Amkor, AMS, ANPEC, Apple, ASE, ASUS, Atos, Audi, Avago, Baidu, Bosch, Bitmain, BitFury, Broadcom, Canaan, Carsem, Cisco, Cray, DARPA, EBANG, EMmicroelectronic, EPworks, Facebook, Faraday, Fingerprints, Foxconn, Fraunhofer, Fujitsu, Gigabyte, GlobalFoundries, Google, GUC, HalongMining, HLMC, HP, Huatian, Huawei, Ibiden, IBM, Icsens, IMEC, Inari Technology, Infineon, Innosilicon, Intel, InvenSense, JCET STATS ChipPAC, Juniper, Lenovo, Leti, Lfoundry, LGinnotek, mCube, Melexis, Memsic, Mercedes-Benz, Micralyne, Micron, Microsoft, NEC, Nokia, Nvidia, NXP, Omnivision, ON Semiconductor, OpenSilicon, Osram, PTI, Samsung, SensL, Shinko, SK Hynix, SMIC, Sony, SPIL, STMicroelectronics, Tencent, TF, Toshiba, TPK, TSMC, UMC, Unimicron, Xfab, Xilinx, Xintek, XMC, Xperi, YMTC...

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