02.26 又一科技小品種,科研人員研發黑磷晶體管,功耗降低上萬倍

甚至為喊出擴展摩爾定律鋪平了道路。今日重要性:✨

據報道,韓國KAIST大學物理系的科研人員開發出可控厚度的黑磷隧道場效應晶體管(TFET),相對傳統半導體(CMOS)晶體管,該晶體管的功耗低10倍,待機功耗低10000倍。該研究小組表示,他們研發的黑磷TFET實現了創紀錄的高通態電流,這使得TFET能夠以比傳統CMOS晶體管更高的速度運行,並且功耗更低。

晶體管的不斷縮小一直是當前信息技術成功發展的關鍵。然而,隨著摩爾定律因功耗增加而達到極限,迫切需要開發新的替代晶體管設計。業內人士表示,黑磷晶體管已更快的運行速度和更低的功耗,可以取代傳統的CMOS晶體管。特別是,他們解決了晶體管運行性能和功耗關係的兩難問題,為擴展摩爾定律鋪平了道路。

相關公司方面,據選股寶主題庫(xuangubao.cn)磷化工板塊顯示,

興發集團:是我國最大的磷礦資源企業。公司控股子公司中科黑磷與中科院先成立聯合實驗室,進行二維黑磷的大規模製備及應用,已在芯片製造、提高貴金屬催化效果、抗腫瘤靶向治療方面取得進展,已申報和正在申報的黑磷相關專利達15項。

國軒高科:擁有黑磷製備專利。

澄星股份:是我國精細磷化工龍頭企業,已經獲得採礦權或探礦權的磷礦資源儲量超過1.26億噸。

*風險提示:股市有風險,入市需謹慎


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