「分析」莫大康:實現中國的存儲器夢

「分析」莫大康:实现中国的存储器梦

莫大康

2019年12月9日

中國半導體業正進入一個新時期,在大基金等國有資金為主推動下,加上科創板的支持,產業正從全方位向前推進,其中實現更多的IC國產化是“命門”,顯然存儲器成為一個讓業界十分期待的目標。

據統計在中國境內DRAM消耗約3,000億元及NAND閃存消耗約2,200億元。假設這個數量級是基本正確,它表示什麼?

據權威市場公司WSTS的秋季數據,2018年全球半導體市場4,687億美元,總存儲器的銷售額達1,580億美元,它預測2019年全球半導體市場下降12.1%,為4,090億美元,其中存儲器下降33%,為1,059億美元,那麼中國消耗存儲器為5,200億元,折算成743億美元,即佔2018年存儲器的47%及2019年的70%,它表示全球的存儲器近一半以上被中國市場消耗。

為了實現存儲器的國產化,國內已經啟動合肥長鑫及福建晉華的DRAM,以及武漢長江存儲的3D NAND閃存生產,另有紫光的南京、成都等都已做好上馬的準備。

按國內網站報導,長江存儲已經開發出32層3D NAND閃存,2019年底月產能達20,000片,計劃2020年開始

64層3D NAND量產,月產能擴充至40,000片以上,到2023年時可能達到計劃64層月產能100,000片,或者它的原計劃300,000片。並在技術上進入128層256Gb的業界先進閃存產品行列。而合肥長鑫已經開發出19納米的DRAM,月產能達20,000片,計劃2020年底月產能擴充至40,000片,到2023年時達到計劃月產能125,000片,技術上開始邁入17納米。並已有報道長鑫將再建兩個fab2和fab3。

中國已經啟動存儲器的佈局,充分體現國家的決心與實力,然而全球存儲器的格局是壟斷的,按學習曲線的規律,中國必須循序漸進,國內業界曾提出初始目標要佔全球市場份額的5%-10%。

5%-10%市場份額

從全球範圍觀察,在DRAM 領域,全球三大陣營的分佈:三星市佔率 46%、SK 海力士 29%、及美光 21%。而在NAND Flash 領域,全球六大陣營的分佈:三星市佔率 35%、東芝(更名為鎧俠) 18.2%、WD/SanDisk 佔 13.8%、美光 13.7%、SK 海力士 10.2%、英特爾 8.6%。

各家存儲器的產能統計,由於渠道不一樣,只能提供估值,依2018年底計,如全球DRAM的月產能約為110萬片(12寸計),及NAND閃存約為150萬片,其中三星可能分別是500,000片及480,000片。

根據三星目前128層3D NAND技術發展,以及工廠進度規劃,預計2020上半年可能量產的是第六代128層V-NAND。SK海力士128層3D NAND也將在2020年進入投產階段。至2019年底,全球NAND閃存依92/96層計,三星佔它的銷售額45%,東芝為50%,美光為35%及Hynix為25%。

當今的NAND Flash設計需要綜合考慮層數、存儲單元間距、單元厚度、功耗、整體性能、投資效益,還有量產的良率,及市場份額等諸多要素。

DRAM製程工藝進入20nm以後,由於製造難度越來越高,內存芯片製造廠商對工藝的定義已經不是具體的線寬,而是分成了1xnm、1ynm、1znm,大體來講,1x-nm製程相當於16~19nm、1y-nm相當於14~16nm,而1z-nm則相當於12~14nm。業界也有討論在1znm之後的可能進展。

據IT之家2019-10月7日消息,三星宣佈成功開發出業界首個12層3D-TSV(直通硅通孔)技術。這是業界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝,而此前最大僅為8層。

3D-TSV最多用在HBM顯存上,這種技術通過芯片內部的打孔填充金屬導電材料實現多層芯片互聯,其速度更快,密度更高。三星此次公佈的12層DRAM封裝工藝需要在720微米厚的芯片上打超過60000個TSV孔,這些孔的尺寸僅為人頭髮絲的二十分之一。

全球存儲器業總是週期性的起伏,也是對於存儲器製造商的考驗。如據IC Insights的《McClean報告2020》預測,其中33種IC產品類別中的26種將恢復增長,而增長前三類如下:2020年NAND Flash將增長19%,汽車電子13%及DRAM 12%。

5%-10%的市場份額,它表示中國存儲器業(包括DRAM,NAND,NOR,新興存儲器)的銷售額已經總計達到50-100億美元以上,同時邁出中國半導體業中IDM產品的關鍵一步。

結語

由於中國存儲器廠商幾乎都是“新進者”,面臨的困難可能更多,尤其是美國的“長臂管轄清單”,它隨時可能改變,其影響如同對“晉華”一樣,不可小視。

在這樣的現實情況下,中國存儲器製造商既要提前做出“預案”,認真對待,不喪失信心,可能最妥善的策略是把目前的工作做得更加紮實與仔細。

技術上推進是關鍵,它是基礎,然而產能擴充的步伐要大膽加快,因為至少在下個下降週期中可能佔到先機,它也是無法用完全市場化策略來解釋。

儘管初始目標是5%-10%的市場份額,但是它的作用不可小視,表明中國存儲器業完成初步立足,開始有話語權。如果依2017年計始,估計可能要花5-10年時間,並且要準備隨時迎接各種干擾的到來。

中國存儲器業一定能立足下來,無非是花的時間短,或者長些,要認識到存儲器業是個拼生產線管理及能持續投資的產業。回顧中國

臺灣地區之前曾投入400億美元,試圖找立足點,結果也不盡如人意,據臺灣人士講主要是資金不足,而中國此次存儲器的突破,似乎資金不成問題,但是缺乏月產能100,000片以上大生產線的管理經驗。

顯然生產線的產能爬坡速度是個“坎”,它不完全是由資金決定,與技術能力,生產線的良率,芯片價格及外來干擾因素等相關,在思想認識上要有充分的準備。

按我的初淺認識,實現中國的存儲器夢,以下兩條是關鍵:

事在人為,實現中國存儲器夢是肯定有必要及可能,在此點上連部分西方人士也表示認可。

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