由於 IGBT 行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內企業在產業化進程中一直進展緩慢，隨著全球製造業向中國的轉移，我國功率半導體市場佔世界市場的 50%以上，是全球最大的 IGBT 市場，但 IGBT 產品嚴重依賴進口，在中高端領域更是 90%以上的 IGBT 器件依賴進口，IGBT 國產化需求已是刻不容緩。
IGBT 作為功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，近年來，隨著新能源汽車以及軌道交通等市場的崛起，市場規模與日俱增。
數據顯示，2010 年，全球 IGBT 市場規模僅為 30.36 億美元，到了 2018 年，增長到 58.26 億美元，年複合增長率達到了 9.8%。而在各大市場中，尤以中國市場的增速最快，高達 18.2%。
這主要是歸因於中國軌道交通和電動汽車市場的快速增長，這兩大市場不僅對於 IGBT 市場有著極大的需求，也因為其需求正不斷的推進 IGBT 市場和技術的快速發展。
據市場研究機構 IC Insights 指出，在各類半導體功率器件組件中，未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。除增長強勁外，IGBT 也是含金量最高的功率器件。
近日，有消息稱，華為也開始研發 IGBT，目前正在從某國內領先的 IBGT 廠商中挖人。據瞭解，憑藉強大的技術優勢，華為早已成為 UPS 電源的領軍企業，佔據全球數據中心領域第一的市場份額，而 IGBT 作為能源變換與傳輸的核心器件，也是華為 UPS 電源的核心器件。
在華為被捲入中美貿易戰之前，華為海思主要研發數字芯片，並不涉及功率半導體，而華為所需的 IGBT 產品主要從英飛凌等 IGBT 原廠處採購。華為被列入實體清單後，有消息稱，英飛凌在美國政府的施壓下曾暫停供貨，儘管英飛凌很快澄清了該傳聞，並表示，其向華為提供的絕大多數產品都不受美國出口管制法限制，因此這些產品將繼續供貨。
雖不知英飛凌的 IGBT 產品是否受到出口管制的影響，但這件事顯然給了華為警醒。目前，在二極管、整流管、mos 管等領域，華為正在積極與安世半導體、華微電子等國內廠商合作，加大對國內功率半導體產品的採購量，而在高端 IGBT 領域，華為卻不得不開啟自研之路。
金智創新行業研究中心的統計數據顯示，2017 年英飛凌佔全球市場份額的 27.1%、三菱市場佔有率為 16.4%、日本富士電機市場佔有率為 10.7%，2017 年全球前五大生產商佔據了市場總量的 67.5%。
在國內市場，中高端 IGBT 產能嚴重不足，長期依賴國際巨頭，導致“一芯難求”。有業內人士表示，國內能真正做 IGBT 芯片的廠商總共也沒有幾家，真正做的比較好的，基本都是從封裝做起的，靠封裝在市場上站穩了腳跟，逐漸一款一款地研發芯片。
由於 IGBT 產品主要集中在幾家國外廠商手中，這就很難滿足全球市場對於 IGBT 的需求，以及不同應用所提出的定製化要求。在這種情況之下，很多國內廠商也都開始尋找國內的供應鏈。
除新入局的華為外，我國 IGBT 產業化水平有了一定提升，比亞迪微電子、中車時代半導體、斯達股份、士蘭微等部分企業已經實現量產，在市場上也有不錯的表現。
比亞迪微電子、斯達股份等國內領先的 IGBT 廠商紛紛開啟上市征程，期望藉助資本的力量再上新臺階。顯然，一場關於 IGBT 國產替代的“戰役”正在拉開帷幕。
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