11月15日下午，紫光集團宣佈正式，任命前爾必達CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO，負責拓展紫光在日本市場的業務。
紫光集團董事長兼CEO趙偉國表示：“對於以創新驅動快速發展的紫光集團來說，人才建設尤為重要。坂本幸雄這樣世界級人才的加入無疑將增強紫光集團的創新實力。希望有更多優秀的人才能夠參與到紫光集團的發展大業中來。”
趙偉國同時強調，坂本幸雄的到來是紫光集團全球發展本地化戰略的體現。希望紫光集團在全球各地的分公司，充分利用本地的人才，更好地服務本地的客戶，併為本地市場的發展做出貢獻。
坂本幸雄表示：“我非常榮幸加入紫光集團，紫光集團近年來的迅猛發展，以及形成的產業優勢是我可以一展身手的大舞臺。我將利用自己過往在專業領域的經驗，結合紫光集團的發展戰略，全力拓展日本市場，並助力紫光集團的全球化發展。”
助力紫光發展DRAM業務？
雖然紫光集團在公告中宣佈，坂本幸雄擔任紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO，主要負責拓展紫光在日本市場的業務。但是，從坂本幸雄過往的履歷來看，紫光集團引入坂本幸一個重要原因可能是為了加速發展其DRAM業務。
資料顯示，坂本幸雄在DRAM領域具有30餘年的從業經驗，在技術以及戰略發展上擁有優秀的領導力，曾任日本德州儀器副社長、神戶制鋼電子信息科半導體部門總監理、聯日半導體社長兼代表董事，以及曾經的存儲大廠爾必達存儲社長、代表董事兼CEO。
爾必達於2012年倒閉並由美光併購後，爾必達原社長坂本幸雄就與爾必達研發團隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技（SKT），除了網羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入。
2016年2月，有日本媒體爆出，為了繼續開發DRAM先進技術，坂本幸雄領導的兆基科技可能將與合肥市政府合作，將往中國市場需求的DRAM發展，由合肥市政府分工負責生產製造事宜，第一步是設計物聯網科技所需的低耗電DRAM芯片，預定最快兩年後開始投產。屆時12英寸晶圓月產能高達10萬片，將會成為國內最大的內存廠。
2016年3月，日經新聞報道稱兆基科技已經與合肥市政府正式簽約。初期投資額8000億日圓（460億人民幣），將聘工程師一千人。但是之後，卻沒有了下文。有觀點認為，如果坂本幸雄領導的DRAM團隊的技術來源是爾必達，那麼必然會受到美光的打擊，因為美光已經收購了爾必達，所以這可能是雙方最終沒有合作的原因。
2016年5月，國產DRAM廠商長鑫存儲技術有限公司在合肥的成立，國內存儲廠商兆易創新參與了對長鑫存儲的投資合作。但是，外界依然懷疑長鑫存儲的DRAM技術來源是與有著爾必達基因的坂本幸雄領導的DRAM團隊有關。
不過，在今年5月15日的GSA Memory+論壇上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明首次披露了長鑫存儲的DRAM技術來源。朱一明強調長鑫存儲通過與奇夢達的合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。
那麼問題來了，傳聞中的坂本幸雄的DRAM研發團隊去哪了？
值得注意的是，今年6月30日晚間，紫光集團發佈公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業群，全力加速發展國產內存。隨後，在今年8月底，紫光集團又跟重慶市政府簽署投資協議，宣佈在重慶建設DRAM事業群總部及內存芯片工廠，預計今年底動工，2021年正式量產內存。
據知情人透露，紫光集團早在2015年即開始佈局DRAM，延攬高啟全加入紫光集團就是佈局的開始，在高啟全加入紫光集團的同時，紫光國微（原名同方國芯）收購了任奇偉團隊所創辦的公司（現在的西安紫光國芯），任奇偉團隊的前身是奇夢達公司的西安研發中心，任奇偉團隊一直從事DRAM的研發工作，目前團隊人數約500人。也就是說，紫光集團的DRAM技術來源也是奇夢達。
從紫光國微的年報披露情況看，該團隊的DRAM產品銷售收入每年約在5~6億人民幣之間，其產品自行設計，在境外代工。2015年，紫光集團還試圖通過收購美光進入DRAM和3D NAND領域，但收購美光受到美國政府的阻擊，未能如願以償。
據知情人透露，紫光集團藉助長江存儲和武漢新芯的平臺，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工藝研發人員，工藝研發人員人數近2000人。目前長江存儲和武漢新芯的員工人數近6000人。
在紫光集團大力發展DRAM技術的情況下，擁有著30餘年的DRAM行業從業經驗前爾必達CEO坂本幸雄的加入顯然並不是簡單的為紫光拓展在日本市場的業務，幫助紫光加快DRAM技術的研發可能才是關鍵。
另外需要指出的是，奇夢達的DRAM技術主要以溝槽式DRAM技術為主，而當前美光、三星等主流的DRAM大廠都採用的是堆棧式技術。
在溝槽式DRAM的製造中，必須先在基板蝕刻出溝槽，然後在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器，然後在電容器上方再製造出柵極，構成完整的DRAM Cell。這種工藝最大的技術挑戰有二，一是隨著線寬越來越細，溝槽的寬深比跟著增加，如何蝕刻出這種溝槽，是相當大的技術挑戰。其次，在進行沉積工藝時，由於溝槽的開口越來越細，要在溝槽裡面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器，也越來越難。相較之下，堆棧式DRAM則沒有上述問題，因此隨著工藝節點越往前推進，溝槽式DRAM的採用者越來越少。
當然，這並不是說長鑫存儲、紫光集團的技術來源於奇夢達，就一定會完全沿著奇夢達的老路來走。但是，目前堆棧式DRAM技術已經相當成熟，要想繞開美光、三星的專利圍堵，顯然是非常的困難。此前，另外一家國產DRAM廠商——福建晉華就因為選擇的就是堆棧式DRAM路線，就受到了美光的專利打擊而導致最終的停擺。
所以如何在奇夢達技術的基礎上，走出新的技術路線，同時規避美光等DRAM技術大廠的專利圍堵，成為了國產DRAM廠商突圍的關鍵。而作為擁有著30餘年的DRAM行業從業經驗的前爾必達CEO坂本幸雄，在堆棧式DRAM技術領域應該是擁有著極為豐富的技術積累，因為之前的爾必達就是走的堆棧式DRAM技術路線。
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