據IC Insights統計，今年半導體行業資本支出總額將升至1,020億美元，首次超過1,000億美元大關。相比去年，今年的支出總額比2017年的933億美元增長9%，比2016年增長38%。
今年還有兩個月，預計將會有超過一半的行業資本支出用於存儲器生產，主要是DRAM和閃存，包括升級現有的晶圓製造生產線、更新制造設備等。總體而言，預計存儲產業將佔今年半導體資本支出的53%。存儲器生產設備的資本支出份額在近六年內大幅增加，從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的53%(540億美元)，相當於2013到2018年總資本支出的30%。
上圖顯示的主要的產品類別中，預計DRAM和SRAM的支出增幅最大，而閃存佔據今年資本支出的最大的份額。預計2018年DRAM/SRAM產業的資本支出將實現41％的增長，而閃存的資本支出將在2017年增長91％後緩慢增長13％。
經過兩年的資本支出劇增後，目前面臨的一個更緊迫的問題是：大量的資本支出會導致產能過剩和價格下降。閃存市場的歷史經驗表明，過多的支出通常會導致產能過剩，隨後會使價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/西部數據/SanDisk和XMC/長江存儲技術都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND閃存容量。IC Insights認為，未來3D NAND閃存市場需求過高的風險正在不斷增長。
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