內存條是CPU可通過總線尋址，並進行讀寫操作的電腦部件。內存條在個人電腦歷史上曾經是主內存的擴展。隨著電腦軟、硬件技術不斷更新的要求，內存條已成為讀寫內存的整體。我們通常所說電腦內存（RAM）的大小，即是指內存條的總容量。
內存條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過數據總線對內存尋址。歷史上的電腦主板上有主內存，內存條是主內存的擴展。以後的電腦主板上沒有主內存，CPU完全依賴內存條。所有外存上的內容必須通過內存才能發揮作用。
DDR時代
DDR SDRAM(Dual DataRate SDRAM)簡稱DDR
也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多采用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。
DDR 內存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的不足。第一代DDR200 規範並沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍數據傳輸=266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內存所衍生出的，它將DDR 內存帶向第一個高潮，另外還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的內存，其後來的DDR333內存也屬於一種過渡，而DDR400內存成為當下的主流平臺選配，雙通道DDR400內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨後的DDR533 規範則成為超頻用戶的選擇對象。
DDR2時代
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標準規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
隨著CPU 性能不斷提高，我們對內存性能的要求也逐步升級。不可否認，僅僅依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內存的支持，所以DDR2內存將開始演義內存領域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運行於1.8V 電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將採用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態內存在五年內不會普及。QBM與RDRAM內存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是大多數較新的芯片組支持的一種內存標準，VCM內存主要根據由NEC公司開發的一種“緩存式DRAM”技術製造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不論是否經過CPU處理的數據，都可先交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上。可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
RDRAM
Intel在推出：PC-100後，由於技術的發展，PC-100內存的800MB/s帶寬已經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高並不大(1064MB/s)，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨佔市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)
Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內存規格，採用了新一代高速簡單內存架構，從而可以減少數據的複雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘週期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相當於PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節，額外的一比特是屬於保留比特，可能以後會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內嵌式內存模塊)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內存的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。
DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3最高能夠以2400Mhz的速度，由於最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內存模組將會從800Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．採用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。
3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
DDR4時代
DDR4內存將會擁有兩種規格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內存其傳輸速率已經被確認為1.6～3.2Gbps，而基於差分信號技術的DDR4內存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由於通過一個DRAM實現兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內存將會同時存在基於傳統SE信號和差分信號的兩種規格產品。
根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4內存將會是Single-endedSignaling( 傳統SE信號)方式DifferentialSignaling( 差分信號技術 )方式並存。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產品，因此在DDR4內存時代我們將會看到兩個互不兼容的內存產品
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