9月12-13日，第二屆“清華-麻省理工-斯坦福-伯克利”未來芯片技術研討會在清華大學舉辦。圍繞集成電路三維技術這一主題，來自清華大學、麻省理工學院、斯坦福大學、加州大學伯克利分校四所高校的學者與泛林集團、西部數據等產業界人士，共同探討集成電路三維技術發展趨勢，分享最新研究成果。本次研討會由清華大學未來芯片技術高精尖創新中心與泛林集團聯合主辦。
12日上午，清華大學副校長、未來芯片技術高精尖創新中心主任尤政院士、清華大學微電子學研究所所長魏少軍教授和泛林集團執行副總裁兼首席技術官理查德·戈奇奧（Richard Gottscho）分別致開幕辭。
尤政致辭
尤政表示，近年來，清華大學在集成電路技術領域開展了大量研究工作，不僅重視顛覆式理論創新及應用技術開發，也與產業界在人才培養、平臺建設、科學研究等方面開展了全方位的合作。希望此次研討會能夠進一步深化清華與國際一流大學及產業界之間的交流，碰撞出更多的創新火花。
魏少軍致辭
魏少軍在致辭中表示，60年來，集成電路的發展超乎想象，集成電路的未來發展前景值得期待。他結合自身研究經驗，分享了對此次論壇主題的理解。
理查德·戈奇奧致辭
理查德·戈奇奧從產業界視角講述了對高校研究的認識，提出不同高校的學者應加強溝通交流。
近年來，集成電路三維技術發展迅速，成為全球半導體行業的熱門研究方向。隨著“超越摩爾定律”時代的來臨，三維集成電路在集成化、多樣化方面有著顯著優勢。聚焦新型器件、架構、電路三大領域，與會嘉賓討論了當下備受關注的二維材料，如銦鎵砷鰭狀場效應晶體管（InGaAs FinFET）、垂直納米線金屬氧化物晶體管（MOSFET）、磁性隨機存儲器（MRAM）、阻變存儲器（RRAM）等方向的研究熱點及成果；在架構方面，N3XT系統帶來了性能上的顯著提升；在電路方面，集成的超級電容將從根源上解決片上集成微能源問題。
理查德·戈奇奧從產業界視角講述了對高校研究的認識，提出不同高校的學者應加強溝通交流。
近年來，集成電路三維技術發展迅速，成為全球半導體行業的熱門研究方向。隨著“超越摩爾定律”時代的來臨，三維集成電路在集成化、多樣化方面有著顯著優勢。聚焦新型器件、架構、電路三大領域，與會嘉賓討論了當下備受關注的二維材料，如銦鎵砷鰭狀場效應晶體管（InGaAs FinFET）、垂直納米線金屬氧化物晶體管（MOSFET）、磁性隨機存儲器（MRAM）、阻變存儲器（RRAM）等方向的研究熱點及成果；在架構方面，N3XT系統帶來了性能上的顯著提升；在電路方面，集成的超級電容將從根源上解決片上集成微能源問題。
胡正明、布洛維奇、薩拉斯瓦特（從左至右）分別作專題報告
在小組討論環節，與會嘉賓圍繞器件縮放、新材料的引入等話題展開精彩討論，分析了3D集成的應用潛力、3D縮放在機器學習及AI中的應用、數字運算和模擬運算的前景等問題，探討了學術界與工業界的關係，還為參會學生在研究方向的選擇上給出建議：在從事研究工作中，不一定要選擇目前的熱點方向，只有選擇自己真正感興趣的方向才能保持持續的科研熱情。
嘉賓討論
參加此次研討會的嘉賓還有麻省理工學院電氣工程與計算機科學系教授、微系統實驗室主任德·阿拉莫（Jesus del Alamo）、麻省理工學院電氣工程和計算機科學系助理教授舒拉克（Max Shulaker），斯坦福大學電氣工程與計算機科學系教授米特拉（Subhasish Mitra）、加州大學伯克利分校電氣工程和計算機科學系教授博克爾（Jeffrey Bokor）、清華大學微電子學研究所任天令教授、王曉紅教授、吳華強教授以及西部數據副總裁西瓦拉姆（Siva Sivaram）、泛林集團副總裁潘陽等。
2017年10月，首屆“清華-麻省理工-斯坦福-伯克利”未來芯片技術研討會在美國硅谷舉辦。此係列技術研討會的舉辦，不僅對四校之間的學術交流合作產生積極推動作用，也在半導體產業界產生了廣泛的影響。
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