近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室研究員傅強團隊與臺積電（TSMC）Lain-Jong Li團隊、臺灣交通大學Wen-Hao Chang團隊、美國萊斯大學B. I. Yakobson團隊、北京大學教授張豔峰團隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層薄膜。
六方氮化硼是一類重要的二維半導體層狀材料，如何在晶圓上實現單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應用於集成電路中的關鍵挑戰。研究相關成果發表在《自然》（Nature）上。
中國科學院
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