中芯國際 N+1 工藝流片和測試成功的重大意義

從前段時間中美科技戰以來,國產半導體領域廠商個個都卯足了勁在進行各種技術攻關,中芯國際N+1工藝流片測試成功對國內半導體領域廠商們來說是一個非常令人振奮的好消息。

中芯國際N+1工藝對比臺積電14nm功耗降低57%、邏輯面積小了63%、SOC面積減少55%,但要比臺積電7nm工藝差一些,比EVU的7nm工藝差很多,相當於臺積電10nm,也許可以給這個節點命名為9nm,後續產量、良率上來了也是非常了不起的成就。就算做到9nm這個程度,也足夠覆蓋除了2000元以上的手機soc之外所有芯片了。只要能把成本做下來,設備國產化做下來,那麼足以讓美國的科技制裁失去意義。

有了國產9nm,只需要華為拼命的把CPU、GPU、FPGA、服務器和低端SOC的訂單喂進去,把成本搞下來,那麼就足以靠吃掉落後製程來實現掏空芯片霸權的根基。哪怕華為放棄麒麟,芯片的攻防戰也是贏的。

中芯國際的N+2工藝將於2021年研發成功,工藝接近臺積電7nm,這將FinFET工藝下DUV光刻機的生產極限。接下來更小製程如5nm,3nm就必須用到極紫外光EUV光刻機了。眾所周知,由於美國阻撓荷蘭ASML的EUV光刻機最終沒能交付中芯國際,迫不得已中芯國際訂購了DUV光刻機。而DUV光刻機屬於深紫外光沉浸式,相比EUV的極紫外光落後了一代。雖說臺積電已經可以做出5nm,甚至荷蘭ASML已經著手開發2nm,1nm光刻機,但是目前全球芯片市場的主流依舊停留在14nm到7nm之間。

因此可以說中芯國際能不借助極紫外光EUV光刻機能做到N+2工藝這一步將成為我國半導體制造技術的極大突破,對我國的半導體制造擺脫美國掣肘奠定堅實基礎。

總的來說,中國芯正在以中國速度成長,讓我們團結一致攻克艱難,相信中國,相信中國芯!


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