4月13日, 紫光集團旗下長江存儲重磅宣佈,成功研發兩款128層產品，分別是128層QLC 3D NAND閃存(型號：X2-6070)、128層512Gb TLC(3bit/cell)規格閃存芯片。前者已在包括群聯和聯芸等多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證，兩款產品可滿足不同應用場景的需求。
早在去年9月，長江存儲便已開始量產基於Xtacking架構的中國首款64層3D NAND閃存。得益於Xtacking架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優化，其64層TLC產品在存儲密度、I/O性能以及可靠性等領域都有不俗表現，上市之後廣受業界肯定。
而在128層系列產品中，Xtacking已全面升級至2.0。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造工藝，CMOS電路可選用更先進的製程。另外，在芯片面積沒有增加的前提下，Xtacking2.0還為3D NAND帶來了更佳的擴展性，進一步釋放3D NAND閃存的潛能。QLC 產品較看重“讀性能”，同時“寫性能”也不能落下，因此在佈局上就增加了陣列讀寫的運行，可以有比較好的連續讀寫速度作為基礎，通過進一步的優化，這顆 128 層 QLC 的產品，在三個維度上做到了業界第一，包括面積最高密度、單顆最高容量達到1.33Tb，以及業界最快速度 1.6Gb/s的 I/O 。
與傳統HDD相比，QLC SSD更具性能優勢。在消費類領域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及。在企業級領域，QLC SSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用於AI計算、機器學習，實時分析和大數據中的讀取密集型應用。
NAND Flash作為對供需平衡敏感、成本競爭極為激烈的強週期性產業，在過去一年，各大原廠產能主力已由64/72層NAND Flash切換至92/96層堆疊NAND Flash。據瞭解，2019年全球bit出貨量達到3090億GB，較2018年實現35%的增長。
據悉，長江存儲一期生產線月產能為10萬片，今年以來產能一直在爬坡。至於量產時間，配合上述產能，128層NAND閃存將於今年年底到明年上半年陸續量產。
長江存儲跨越96層產品，直接從64層產品發展至128層產品，既得益於Xtacking技術的協助，也是國際競爭需求的助推。目前，包括三星、SK海力士等在內的國際領先存儲芯片廠商均已推出128層產品。
例如，SK海力士在去年底已向客戶交付基於128層1Tb 4D NAND的工程樣品，近期推出基於首款128層 1Tb TLC 4D NAND閃存的企業級SSD。三星於去年中已批量生產250GB SATA SSD，為基於該技術的產品，年底實現了第6代128層512Gb TLC 3D NAND的量產。對於鎧俠/西數，今年開年順利研發出512Gb的BiCS5 TLC，還計劃推出112 層1Tb TLC和1.33Tb QLC。
長江存儲作為後起之秀，自去年9月份成功量產64層3D NAND，併成為國內首家成功導入客戶群的國產存儲原廠，時隔7個月，再次帶來新突破。長江存儲3D NAND 競爭是以32層技術切入的，當時與友商的技術差距在4-5年間，突破64 層技術後，差距縮短至2年。
不過，長江存儲的 64 層密度其實相當於友商的 96 層，因此真正差距其實更小，而今天宣佈研發成功128層，標誌著與業界主流已處於同一起跑線，長江存儲用三年時間便完成了從32層到128層的跨越。
另外，美光自與英特爾分道揚鑣後，雙方在96層3D NAND技術以及二代3D XPoint技術上各自也走向獨立。近期，美光表示將於今年第三季度開始量產基於全新架構的128層3D NAND，並在第四季度開始商業出貨，但並沒有透露具體產品細節。而據外媒報道，英特爾計劃今年推出144層3D QLC NAND技術，期待之後雙方更多確切消息。
在開年疫情影響的陰霾下，長江存儲所處的武漢市尤為緊張，本月8日才全面解禁封城，儘管官宣全員復工且產能利用率達到100%。但因為疫情過去幾個月在全球蔓延，市場需求十分低迷，初期主要是國內的消費市場受疫情影響，現在輪到海外市場了。
對長江存儲而言，目前 12 寸晶圓廠的 64 層芯片產能還是屬於爬升期，處於64 層eMMC、UFS、SSD產品最後的研發階段，真正大量產出是下半年，屆時需求回暖，產品問世恰好可以趕上時程。
而128層系列產品將會為其合作伙伴帶來更大價值，其中，128層QLC版本將率先應用於消費級SSD，並逐步進入數據中心、企業級服務器等領域，以滿足未來AI、5G時代多元化數據存儲需求。更重要的是，QLC降低了NAND閃存單位字節的成本，更適合作為大容量存儲介質。隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來具有廣闊的市場應用前景。
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