來源：內容綜合自「anandtech」，謝謝。
作為公司的第二季度財務財報電話會議的一部分，美光公司透露，他們即將開始批量生產其基於公司新的RG（replacement gate）架構的第四代3D NAND存儲設備。按照規，他們準備在當前財政季度（FY20財年第三季度）開始生產，並將於第四季度開始商業發貨。總體而言，這將標誌著製造商開始重大技術轉型。
按照美光介紹，他們的第四代3D NAND使用多達128的有源層，並繼續使用陣列設計方法下的CMOS。新型3D NAND存儲器把浮柵技術（已被Intel和Micron多年使用）改為gate replacement 技術，以試圖降低管芯尺寸和成本，同時提高性能，並簡化向下一代節點的過渡。該技術完全由美光公司開發，沒有英特爾的任何投入，因此它很可能是針對美光公司最希望針對的應用程序量身定製的（可能是較高的ASP，例如移動，消費類等）。
Micron第四代的28層3D NAND即將流片表示，表示該公司新設計不僅僅是一個概念。同時，美光還沒有計劃將其所有產品線都轉換為最初的RG處理技術，因此明年公司範圍的每位成本將不會大幅下降。儘管如此，該公司承諾在其後續RG節點廣泛部署之後，到2021財年（從2020年9月下旬開始）將實現有意義的成本降低。
美光公司首席執行官兼總裁Sanjay Mehrotra表示：
“我們使用replacement gate或簡稱“ RG”實現了我們的第一個die。這個里程碑進一步降低了我們進行RG過渡的風險。提醒一下，我們的第一個RG節點將為128層，並將用於選擇的一組產品。我們不希望RG能夠在2021財年廣泛部署第二代RG節點之前實現有意義的成本降低。因此，我們預計2020財年NAND的成本降低最小。我們的RG生產部署方法將優化NAND資本投資的ROI。”
美光今年將推出HBM2 DRAM
在最新的財報電話會議中，美光科技透露，該公司將在今年晚些時候最終推出其首款用於帶寬需求型應用的HBM DRAM。此舉將使該公司能夠應對諸如旗艦GPU和網絡處理器之類的高帶寬設備市場，在過去五年中，這些設備已轉向HBM來滿足其不斷增長的帶寬需求。而且，作為“三巨頭”存儲器製造商中的第三家也是最後一家進入HBM市場的公司，這意味著HBM2存儲器將最終可從所有三家公司獲得，這給該市場帶來了新的競爭優勢。
總體而言，儘管美光始終處於存儲技術的最前沿，但迄今為止，該公司一直沒有涉足HBM.相反，他們先前的工作重點是GDDR5X，以及混合內存多維數據集（HMC）對快速堆棧存儲的不同看法。HMC是 三星和IBM於2011年首次宣佈的，HMC是類似的堆疊DRAM類型，適用於帶寬匱乏的應用，其特點是低帶寬總線和極高的數據速率，可提供遠遠超過當時的內存帶寬標準DDR3。作為HBM的競爭解決方案，HMC確實在市場上有一定用途，特別是在加速器和超級計算機等產品中。然而，最終，HMC在與更廣泛的HBM / HBM2的對抗中敗下陣來，美光科技在2018年將該項目轉為支持GDDR6和HBM。
最終，美光花了大約兩年的時間來開發其第一批HBM2存儲設備，並且這些產品最終將在2020年面世。鑑於此次電話會議具有廣泛的財務性質，美光並未透露其首批HBM2設備的規格目前，儘管可以肯定的是，將使用該公司的第二代或第三代10 nm級工藝技術（1y或1z）生產底層DRAM單元。同時，在性能和容量方面，美光顯然將竭盡全力與三星和SK海力士競爭。
*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。
今天是《半導體行業觀察》為您分享的第2266期內容，歡迎關注。
存儲｜傳感器｜IGBT｜ARM｜FPGA｜中興｜蘋果｜半導體股價｜IP
閱讀更多 半導體行業觀察 的文章
