【嘉德點評】武漢新芯提出的閃存器件製作方法中，避免了由於光刻膠圖形化造成的缺陷，並且降低了生產成本，同時提高了浮柵的均一性。
集微網消息，新冠肺炎的影響導致武漢一直處於封城狀態，也勢必會影響到武漢三大晶圓廠之一的武漢新芯的運營情況，目前武漢新芯已經下調了第一季度NOR Flash的產能。
當前武漢新芯NOR Flash出貨主要面向PC、手機、真無線藍牙耳機(TWS)、智能電網等市場，其NOR Flash產能約佔全球的10%左右。尤其在索尼、華為、小米等品牌相繼推出TWS產品之後，NOR Flash儼然成為舞臺焦點。
一般而言，用於存儲數據的半導體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器件，易失性存儲器在電源中斷時易於丟失數據，而非易失性存儲器件在電源關閉後仍可及時保存存儲器內部信息，而且非易失性存儲器件具有成本低、密度大等特點，使得非易失性存儲器件廣泛應用於各個領域。非易失性存儲器件包含有與非(NAND)及或非(NOR)型閃存(Flash Memory)類型，前者雖然存儲容量較大，但讀寫速度較慢，而後者的速度相對較快。
Nor Flash工藝在尺寸不斷減小的過程中，對於ONO(氧化硅-氮化硅-氧化硅)填充之前存儲區隔離氧化層去除後缺陷的要求也越來越高。雖然可以通過溼法幹法混合，以及為每一次刻蝕配以圖形化來避免光刻膠在溼法刻蝕中遷移帶來的缺陷，但這樣無外乎會增加生產成本。
因此，為了解決上述技術問題，武漢新芯，申請了一項名為“閃存器件及其製作方法”（申請號：201911090126.1）的發明專利，申請人為武漢新芯集成電路製造有限公司。
圖1 閃存器件製作方法流程圖
上圖是該發明提出的一種閃存器件製作方法流程圖，它主要有五大步驟組成。
第一步
我們首先需要提供一個半導體襯底100（比如硅襯底、碳化硅襯底等），襯底100包含存儲區100A與外圍區100B，並且在襯底100內部會形成多個隔離結構110。
圖2 生產步驟結構圖1
第二步
之後在隔離結構110和襯底100上形成多晶硅材質的浮柵材料層130以及含有氧化硅的氧化層140。這裡要注意的是浮柵材料層130必須要完全覆蓋隔離結構110與襯底100，同時氧化層140也應覆蓋浮柵材料層130。
第三步
然後我們要平坦化氧化層140和浮柵材料層130，直到它們暴露出存儲區100A內的隔離結構110的上表面。這樣存儲區100A內剩餘的浮柵材料層形成浮柵130A，並且外圍區100B也會保留一部分的浮柵材料層130B，如下圖所示。
圖3 生產步驟結構圖2
第四步
接著我們採用溼法刻蝕去除浮柵130A之間部分隔離結構110，並繼續採用如等離子體刻蝕等技術，繼續刻蝕隔離結構110。通過工藝控制，使得剩餘的隔離結構110達到預定的深度，即與浮柵130A的下表面平齊。
圖4 生產步驟結構圖3
第五步
最後我們要去除外圍區100B保留的部分浮柵材料層130B。可以先讓其形成圖形化的光刻膠層，這樣就能暴露出浮柵材料層130B，然後以圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕去除所述浮柵材料層130B，最後再灰化去除圖形化的光刻膠層。
武漢新芯提出的閃存器件製作方法中，在浮柵材料層上形成氧化層，平坦化氧化層與浮柵材料層之後，存儲區內剩餘的浮柵材料層就形成浮柵並且其外圍區會保留部分浮柵材料層，然後再令其為掩膜刻蝕浮柵之間的隔離結構，這樣能夠節省圖形化工藝，避免了由於光刻膠圖形化造成的缺陷，並且降低了生產成本，同時提高了浮柵的均一性。
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