05.16 國產32層3D NAND Flash存儲芯片實現量產

2018年5月16日人民網轉載《長江日報》報道：中國第一代自主可控32層三維閃存芯片產品,已於2017年10月下線並提交客戶試用,產品研發從驗證試製轉向規模量產。

國家存儲器基地長江存儲生產的3D NAND Flash晶圓 記者高勇 攝

國家存儲器基地長江存儲生產的中國首顆自主研發32層三維閃存芯片 記者高勇 攝

中國第一代自主可控32層三維閃存芯片產品,已於2017年10月下線並提交客戶試用,產品研發從驗證試製轉向規模量產，並於今年4月9日獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

據悉，64層三維閃存芯片研發也在緊鑼密鼓地進行,計劃2019 年實現量產。長江存儲的目標,是2023年實現30萬片/月產能,年產值1000億元,預計滿足國內閃存需求量50%。

5月14日,國家存儲器基地項目(一期)一號芯片生產廠房內,工人正在安裝線纜。