本次分享關於STM32內部FLASH的筆記。
STM32 芯片內部的 FLASH 存儲器，主要用於存儲我們代碼。如果內部FLASH存儲完我們的代碼還有剩餘的空間，那麼這些剩餘的空間我們就可以利用起來，存儲一些需要掉電保存的數據。
本文以STM32103ZET6為例。STM32103ZET6屬於大容量產品，其閃存模塊組織如下：
其主存儲器大小為512KB，分為256頁，每頁大小都為2KB。我們的程序一般默認燒寫到第0頁的起始地址（0x08000000）處。當BOOT0引腳和BOOT1引腳都接GND時，就是從這個地址開始運行代碼的。這個地址在keil中可以看到：
假如我們要下載的程序大小為4.05KB，則第0、1、2頁用於保存我們的程序，我們需要掉電保存的數據只能保存在第3頁至第255頁這一部分空間內。我們最終要下載的程序大小可在工程對應的.map文件中看到。.map文件可以雙擊工程的Target的名字快速打開，如：
下面對STM32的內部FLASH進行簡單的讀寫測試：
STM32的內部FLASH讀寫測試
過程圖如下（省略異常情況，只考慮成功的情況）：
示例代碼：
本例的關鍵代碼如下：
（1）進行解鎖操作
STM32 的閃存編程是由內嵌的閃存編程/擦除控制器(FPEC)管理 ，這個模塊包含的寄存器如下：
STM32 復位後， FPEC 模塊是被保護的， 不能寫入 FLASH_CR 寄存器； 通過寫入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打開 FPEC 模塊（即寫入 KEY1 和KEY2） ， 只有在寫保護被解除後， 我們才能操作相關寄存器。 固件庫中的函數為：
void FLASH_Unlock(void);
（2）擦除將要寫的頁
STM32 的 FLASH 在編程的時候，也必須要求其寫入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必須是 0XFFFF），否則無法寫入，在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位將得到一個警告。 STM32 的閃存擦除分為兩種：頁擦除和整片擦除。 也就是其最小擦除單位為1頁，儘管你只需往某頁裡寫10個字節數據或者更少的數據，你也必須先擦除該頁（2*1024個字節）。我們這裡使用按頁擦除，固件庫中按頁擦除的函數為：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
其返回值為枚舉：
（3）往上一步擦寫成功的頁寫入數據
STM32 閃存的編程每次必須寫入16 位。雖然固件庫中有如下三個寫操作的函數：
分別為按字（32bit）寫入、按半字（16bit）寫入、按字節（8bit）寫入函數。32 位字節寫入實際上是寫入的兩次 16 位數據，寫完第一次後地址+2，這與我們前面講解的 STM32 閃存的編程每次必須寫入 16 位並不矛盾。 寫入 8 位實際也是佔用的兩個地址了，跟寫入 16 位基本上沒啥區別。
（4）寫入操作完成後進行上鎖操作
對FLASH進行寫操作完成後要進行上鎖操作，對應的固件庫中函數為：
void FLASH_Lock(void);
（5）讀出數據
固件庫中並沒有與讀操作的函數。讀操作其實就是讀取FLASH某個地址的數據。
（6）對比寫入的數據與讀出的數據是否相等
最後對比我們寫入的數據與讀出的數據是否完全一致，若一致則表明讀寫測試成功，否則失敗。
程序執行結果：
可見，讀出的數據與寫入的數據一致，表明讀寫測試成功。
最後
STM32的內部FLASH讀寫步驟大致如上，有時候我們還需要封裝一些讀寫函數，但步驟大都如上。寫入數據之前需要先進行擦除操作。以上就是本次的筆記分享，如有錯誤，歡迎指出！
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