長江存儲公開發布Xtacking技術。該技術將為三維閃存提供更高的讀寫性能和更高的存儲密度，同時縮短產品研發週期。傳統三維閃存架構中，外圍電路與存儲單元共享芯片面積。
Xtacking技術將外圍電路置於存儲單元之上，讓芯片加工從平面走向立體。即在一片晶圓上加工外圍電路，在另一片晶圓上加工存儲單元，兩片晶圓各自完工後再進行接合。
目前世界上最快的三維閃存讀寫速度是1.4Gbps，採用Xtacking技術後這一數值有望提升到3.0Gbps，對閃存行業來講將是顛覆性的。Xtacking技術在全球範圍內是首創的，對“中國芯”加速自主創新發展意義重大。長江存儲已成功將Xtacking技術應用於第二代三維閃存產品的研發中，預計2019年實現量產。
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