ROHM SiC MOSFET Gen3 Trench Design Family
——逆向分析報告
購買該報告請聯繫：
麥姆斯諮詢
電子郵箱：wuyue#memsconsulting.com（#換成@）
羅姆（ROHM）650V和1200V碳化硅（SiC）MOSFET中的溝槽（Trench）技術
據麥姆斯諮詢介紹，碳化硅（SiC）與目前主流的硅基功率半導體器件相比，切換損耗小、耐壓性強、在高溫下也能擁有優異的電子特性。因此，很多廠商生產碳化硅產品，例如Cree、Microsemi、Infineon、ROHM等。碳化硅器件市場前景看好，預計2017~2021年複合年增長率（CAGR）高達31%。由於汽車和工業應用的拓展，預計2023年碳化硅器件市場將超過15億美元。
硅基IGBT和碳化硅MOSFET的切換損耗對比
ROHM是碳化硅MOSFET分立器件和模組領域第二大公司，提供650V~1700V範圍內各種產品。在商業化碳化硅生產後僅七年時間，ROHM推出了溝槽式碳化硅MOSFET，成為全球第一家量產此類產品的廠商。
該產品系列基於ROHM專有的雙溝槽設計，包括柵極溝槽和源極溝槽。這種設計相對於平面碳化硅器件，將導通電阻（Rdson）減小了近一半；並且相對於具有相同電壓的硅基IGBT，電流密度增加了近五倍。
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）
ROHM第三代設計應用於650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，並利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究複雜的碳化硅溝槽結構。
ROHM第三代碳化硅MOSFET拆解與逆向分析
本報告還對分立器件SCT3120AL進行生產成本剖析，並提供650V和1200V第三代技術及器件對比分析，以及第三代和第二代碳化硅MOSFET對比分析。
報告目錄：
Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
• Glossary
• SiC Power Device Market
Company Profile
• Rohm
• Portfolio
• Supply Chain
Physical analysis
• Summary of the Physical Analysis
• 650V MOSFET: SCT3120AL
- MOSFET die view and dimensions
- MOSFET delayering and main blocks
- MOSFET die process, cross-section and process characteristic
• 1200V MOSFET: BSM180D12P3C007
- MOSFET die view and dimensions
- MOSFET delayering and main blocks
- MOSFET die process, cross-section and process characteristic
Manufacturing Process
• MOSFET Die Front-End Process
• MOSFET Fabrication Unit
• Packaging Process and Fabrication Unit
Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yields Explanation and Hypotheses
• 650V MOSFETs : SCT3120AL
- MOSFET die front-end cost
- MOSFET die probe test, thinning and dicing
- MOSFET die wafer cost
- MOSFET die cost
- Assembled components cost
- Component cost
• 1200V MOSFETs : BSM180D12P3C007
- MOSFET die front-end cost, probe test, thinning and dicing, wafer cost and cost
Selling Price SCT3120AL
Comparison Between ROHM’s 3G SiC Trench 650V and 1200V MOSFETs
Comparison with Infineon’s Trench MOSFET design
若需要《ROHM第三代碳化硅MOSFET溝槽設計系列》報告樣刊，請發E-mail：wuyue#memsconsulting.com（#換成@）。
閱讀更多 麥姆斯諮詢 的文章
