三星今天宣佈，它正在擴大與ARM的合作，採用7nm和5nm FinFET工藝技術開發下一代ARM內核，將推動移動計算的界限超越3GHz標誌。
三星與ARM的合作是重大新聞
三星半導體部門Samsung Foundry將提供7LPP（7nm低功率Plus）和5LPE（5nm低功耗早期）工藝技術，這些技術將與ARM的Artisan物理IP平臺配合使用，以開發下一代ARM Cortex內核。克服了Cortex-A76，即將推出的ARM產品將打破3GHz計算速度的障礙。
“構建廣泛且差異化的設計生態系統是我們代工廠客戶的必備條件。在推動IP解決方案領域與Arm合作對於提高高性能計算能力和加速人工智能（AI）和機器學習能力的發展至關重要，“三星鑄造營銷團隊副總裁Ryan Sanghyun Lee表示。
三星公司涉及的業務十分龐大，手機業務只是其中很小一部分
三星的7nm LPP技術將在2018年上半年進入生產的初始階段，而基於EUV（極紫外）光刻工藝技術的7nm +芯片的生產將在2019年上半年投入生產。後者是打印實際芯片電路的先進方法，據稱將用於生產用於2019年iPhone系列的Apple A13芯片。
至於ARM即將推出的產品，Cortex-A76採用了該公司的DynamIQ技術，並利用big.LITTLE芯片架構在移動設備上提供筆記本電腦級性能，這得益於更高的效率和更高的每線程性能。此外，還期望提供優異的電池壽命，以在更長時間的密集任務期間提供持續的高性能。
5奈米技術世界上僅有少數幾家公司可以生產
據稱Cortex-A76的功率效率提高了約40％，性能比其前身Cortex-A75提高了35％。然而，無論是三星還是ARM，都沒有透露任何有關第一批Cortex-A76供電設備何時上市的信息。
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