三星的7nm工藝，選擇直接導入先進的EUV（極紫外光刻）技術，由此在進度上稍顯吃虧，尤其是落後自己的“宿敵”臺積電。
在6月處ARM宣佈新的Cortex A76公版架構時，樣片就是由臺積電的7nm打造，當時頻率最高達到了3.3GHz，參考值也達到了3GHz。
這種局面，三星當然不會坐視。
7月5日，三星電子在韓國舉辦的鑄造論壇期間宣佈，和ARM（安謀）的戰略級代工合作推進到7nm/5nm上。具體來說，由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以實現3GHz以上的頻率。
臺積電版ARM A76性能效果圖
三星還透露，7LPP將從2018年下半年開始早期生產，採用EUV技術的IP預計明年上半年完工。
另外，三星還確認其路線圖推進到了3nm GAAE（Gate-All-Around Early）工藝。
那麼問題了，除了Exynos，三星的7nm A76芯片會有高通、華為這些客戶嗎？
分享到:
閱讀更多 快科技 的文章
