恩智浦半導體今日宣佈推出用於實現5G基礎設施的新型射頻前端解決方案。恩智浦的產品組合解決了在開發用於5G大規模多輸入多輸出(mMIMO)的蜂窩基礎設施時，涉及的幾個最棘手的問題，包括功率放大器集成、不斷縮小的電路板空間、實際佔位面積以及不同型號之間的引腳兼容性。
mMIMO是5G的重要基礎，因為它能夠滿足網絡對射頻(RF)技術的需求，以應對5G即將帶來的數據使用量激增。mMIMO在特定頻譜中傳輸的數據量遠多於當前和傳統的無線電技術。
恩智浦在本週的國際微波研討會(IMS2018)上推出面向5G的新型前端解決方案，旨在應對開發外形尺寸最小的經濟高效型高性能解決方案的關鍵挑戰，為蜂窩基礎設施提供新一代有源天線系統(AAS)。簡而言之：將mMIMO需要的一切功能集成到儘可能小的器件中。
恩智浦推出了高度集成且外形尺寸更小的解決方案組合來應對這一挑戰，因而對客戶來說更加易用和經濟高效，並在所有頻段和功率水平之間實現即插即用。恩智浦前端解決方案產品線總監Mario Bokatius表示：“開發這些器件的目的是讓客戶能夠以儘可能低的成本設計他們的系統。”
恩智浦前端解決方案覆蓋了對早期5G蜂窩網絡開發最關鍵的頻率範圍，即2.3 GHz至5 GHz。
用於5G實現的恩智浦前端解決方案包括對開發mMIMO射頻前端最關鍵的三種不同功能：
· 高效率功率放大器模塊(PAM)，在輸入端和輸出端完全匹配至50 Ohm，實現了佔位面積和引腳兼容，覆蓋廣泛的功率水平範圍和頻段，並採用相同的板設計;
· 前置驅動器放大器模塊，具有超低的功耗，覆蓋從2.3 GHz到5 GHz的整個頻率範圍，在器件系列內部實現完全的佔位面積和引腳兼容;
· 接收器前端模塊，提供集成的時分雙工(TDD)切換和用於信號接收的低噪聲放大(LNA)功能。
Bokatius表示：“我們在不影響高性能要求的前提下提供最高的集成度，但這只是一個開始。展望未來，隨著恩智浦繼續致力於提供業界佔位面積最小、成本最低的解決方案，我們還將實現更多的集成。”
恩智浦充分利用硅基LDMOS技術，為射頻產品客戶提供最有利的成本結構。自從幾十年前問世以來，LDMOS經歷了持續創新。LDMOS能夠提供持續提高的高功率水平，具有很高的增益和效率，再結合出色的耐用性和低發熱特徵，這些優點使得它成為射頻功率放大器應用中的主導器件技術，適用於從1 GHz以下到3 GHz的頻率範圍。恩智浦的LDMOS技術現在將其領先地位擴展到高達5 GHz的頻率範圍。使用LDMOS技術，這些解決方案能夠提供與非硅基射頻功率晶體管同等的高性能，而且可靠性更高，成本更低。
恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業部總經理Paul Hart表示：“憑藉我們的領先優勢和在無線通信行業的雄厚技術實力，我們在作為合作伙伴繼續為客戶提供5G解決方案方面處於非常有利的地位。”
供貨情況
大多數用於5G實現的恩智浦前端解決方案目前已經面市，很快還將有更多產品推向市場。有關購買信息，請聯繫恩智浦銷售人員。
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